光デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2008000737
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-202509
出願日 2007/8/3
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-065317
公開日 2008/3/21
登録番号 特許第4915945号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 2次元フォトニック結晶スラブ光デバイス、薄膜スラブ構造、光デバイスの電極製造方法
目的 2DPCスラブ構造に代表される薄膜スラブ構造に対して、信頼性の高い電極製造方法の提供。
効果 段差構造形成のためのエッチングといった複雑な工程がないため、2DPCスラブ構造のようなコア層が極薄膜の構造であっても、確実に電極の作製を行うことができる。また第1及び第2の基板の接合にSODを用いているため、基板の接合と同時に、良好なクラッド層及び層間絶縁層が得られる。
技術概要
この技術では、光デバイスの製造方法は、光デバイスのコア層となるべき部位を有する第1の基板と光デバイスを集積させるための第2の基板を用意する工程を含むと共に、コア層上の一部に第1の電極を形成する工程を含む。また第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布する工程を含み、第1の基板の第1の電極が形成された側と第2の基板とを接合する工程を含み、接合した第1の基板と第2の基板とを加熱する工程を含む。さらに、コア層及び第1の電極を残して第1の基板を除去する工程を含み、コア層上の一部に第2の電極を形成する工程を含み、エッチングによりコア層に複数の溝又は貫通孔を有する構造を形成する工程を含み、エッチングにより第1の電極の一部を露出させる工程を含み、第1及び第2の電極に接続する電極配線を形成する工程を含む。複数の溝又は貫通孔を有する構造は2次元フォトニック結晶スラブ構造であるものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT