太陽電池及びその作製方法

開放特許情報番号
L2008000735
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2009/4/17

基本情報

出願番号 特願2007-200544
出願日 2007/8/1
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-038180
公開日 2009/2/19
発明の名称 太陽電池及びその作製方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 太陽電池に適用する。
目的 結晶シリコンへテロ接合型太陽電池を提供する。
効果 短絡電流密度を増加させることができ、変換効率を改善した太陽電池が可能になる。
技術概要
好ましくは、第一導電型(n型)の結晶シリコン基板上に、ノンドープの水素化アモルファスシリコンオキサイド層を介して第二導電型(p型)の水素化アモルファスシリコンオキサイド層を備える太陽電池にする。この太陽電池は、例えば、(A)第一導電型の結晶シリコン基板1を準備し、次いで(B)この結晶シリコン基板1表面にSiH↓4ガス及びCO↓2ガスを流してプラズマ処理により水素化アモルファスシリコンオキサイド層2を形成し、次いで(C)この水素化アモルファスシリコンオキサイド層2上に、B↓2H↓6またはB(CH↓3)↓3等の第二導電型の不純物を含むガス、SiH↓4ガス、CO↓2ガス及びH↓2ガスを流してプラズマ処理により第二導電型の水素化アモルファスシリコンオキサイド層3を形成する工程を経て作製される(図)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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