p型酸化亜鉛薄膜及びその作製方法

開放特許情報番号
L2008000726
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-176736
出願日 2007/7/4
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-031035
公開日 2008/2/14
登録番号 特許第5360789号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 p型酸化亜鉛薄膜及びその作製方法
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 青色から紫外線に渡る波長の光、発光素子、レーザ発振、結晶性の良い高品質な薄膜、再現性
目的 サファイア基板等の透明な基板上に形成された酸化亜鉛の発光素子を作製するために必要なp型酸化亜鉛薄膜、それを作製する方法及びその光学素子を提供すること、更に、酸化亜鉛を用いたワイドバンドギャップ半導体エレクトロニクスや透明導電膜に関する技術の基盤となる、キャリア制御技術を提供することの実現。
効果 ホールバーによるホール効果測定において、ホール電圧の磁場依存性から明確にp型半導体であることが示されるp型酸化亜鉛薄膜、及びその作製方法を得ることができる。青色から紫外線に渡る波長の光を放射する発光素子を酸化亜鉛で実現するために必要な、p型の酸化亜鉛薄膜を、サファイア基板等の透明な基板上に形成する方法、それにより実現されるp型酸化亜鉛薄膜、及びその発光素子を得ることができる。
技術概要
この技術は、高信頼性のp型酸化亜鉛半導体薄膜であって、薄膜中に添加されたp型ドーパントが活性化されていること、過剰亜鉛が取り除かれていること、ホール効果測定の結果のホール電圧−磁場特性のグラフの傾きからp型半導体であることが明確に示されていること、それにより、p型半導体化が実現されていること、とするものである。p型酸化亜鉛半導体であることが、ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から明確に示されること、基板を有し、基板が、ガラス基板、サファイア基板、酸化亜鉛単結晶基板あるいは酸化亜鉛結晶性薄膜を表面層に有する基板であり、その上に作製するp型酸化亜鉛薄膜との格子定数の整合性や結晶の対称性を問わないこと、p型化させた酸化亜鉛薄膜が、単結晶性(エピタキシャル)薄膜あるいは多結晶性薄膜であること、ホール濃度が1×10↑(15)cm↑(−3)以上であること、が好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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