CIGSSe太陽電池及びその作製方法

開放特許情報番号
L2008000723
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2009/4/17

基本情報

出願番号 特願2007-198220
出願日 2007/7/31
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-033071
公開日 2009/2/12
発明の名称 CIGSSe太陽電池及びその作製方法
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、電子・電気分野、各種産業分野等で広く利用される。
目的 硫化カドミウム膜をバッファ層とするCIGSSe太陽電池の作製において、アンモニア水の添加を必要としない硫化カドミウム膜を得るCIGSSe太陽電池の作製方法及びCIGSSe太陽電池を提供する。
効果 アンモニア水の添加を必要としない硫化カドミウム膜を得ることができ、その産業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
カドミウム源として酢酸カドミウムを、硫黄源としてチオアセトアミドを用いた水溶液による硫化カドミウム膜をバッファ層とすることにより、CIGSSe太陽電池を作製する。尚、CIGSSe太陽電池は元素記号でCuIn↓1↓−↓xGa↓xS↓ySe↓2↓−↓y(0≦x≦1、0≦y≦2)なる化合物を光吸収層とする太陽電池である。CIGSSeは光吸収係数が大きいので薄膜太陽電池によく適する材料であって、CIGSSe太陽電池の光電変換効率は実験室では19%を超えており、次世代型太陽電池と呼ばれながらすでに市販されており、省資源、温暖化抑止エネルギー源の一翼を担うものとして期待されている。更に、六方晶の硫化カドミウムを含む膜をバッファ層とするCIGSSe太陽電池を作製する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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