二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2008000721
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-198653
出願日 2007/7/31
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-038076
公開日 2009/2/19
登録番号 特許第5196470号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 二重絶縁ゲート電界効果トランジスタに適用する。
目的 ソース領域とドレイン領域に特定の不純物濃度特性を有する二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを提供する。
効果 高電位がドレインに印加された状態で二重絶縁ゲート電界効果トランジスタをオフ状態とするときのドレイン漏れ電流の増加を従来よりも軽減できる素子構造を有する二重絶縁ゲート電界効果トランジスタが可能になる。
技術概要
第一導電形の不純物がそれぞれ高濃度に導入されたソース領域1およびドレイン領域2と、それら領域1、2の間に接して介在させたチャネル領域3と、このチャネル領域3の両領域1、2と接しない対向面の第一の面4に第一のゲート絶縁物5を介して設けた第一のゲート電極6と、チャネル領域3の対向面の第二の面7に第二のゲート絶縁物8を介して設けた第二のゲート電極9とを備える構造であって、ソース領域1およびドレイン領域2に、不純物の濃度特性がゲート絶縁物5、8と接する面から内方に離れるに従い漸次高くなる領域を形成する二重絶縁ゲート電界効果トランジスタにする(図)。不純物の濃度特性は、不純物の濃度がゲート絶縁物5、8と接する面から内方に離れるに従い漸次高くなる濃度特性領域を有する共に、ソース領域1およびドレイン領域2内の最高濃度の濃度特性領域を有して形成されているのが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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