GaNをチャネル層とする窒化物半導体トランジスタ及びその作製方法

開放特許情報番号
L2008000718
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2007-191934
出願日 2007/7/24
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-032713
公開日 2009/2/12
登録番号 特許第5190923号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 GaNをチャネル層とする窒化物半導体トランジスタ及びその作製方法
技術分野 無機材料、電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、電子デバイス、家庭用電源のインバータ、コンバータ等の分野で広く利用される。
目的 キャップ層を有しGaNをチャネル層とする窒化物半導体トランジスタ及びその作製方法を提供する。
効果 GaNをチャネル層とする窒化物半導体トランジスタにおいて、電流コラプスを低減させることができる。
技術概要
ドレインとゲートの間又はゲートとソースの間の半導体表面に、In及びN並びに、Al及び/又はGaを含有し、格子定数がGaN結晶よりも大きいキャップ層5を有する、GaNをチャネル層とする窒化物半導体トランジスタである。尚、キャップ層がp型ドーピングされているか、または、チャンネル側の界面を除いて、p型ドーピングされている。また、p型ドーピングのドーパント濃度が5×10↑1↑8cm↑−↑3以上であり、キャップ層は、チャンネル側の界面にn型ドーパントが、デルタドープされている。また、キャリアを生成する効果のあるバリアー層のゲート部にリセス構造を形成した後に、ソースとドレイン間の半導体表面上の全面に、再成長によりキャップ層を形成することにより、GaNをチャネル層とする窒化物半導体トランジスタを作製する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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