マスクパターン形成方法

開放特許情報番号
L2008000707
開放特許情報登録日
2008/2/22
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2007-184117
出願日 2007/7/13
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-020393
公開日 2009/1/29
登録番号 特許第5071785号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 マスクパターン形成方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 マスクパターン形成方法
目的 マスクパターンの形成方法において、繰り返しパターンの抽出効率を向上できる技術の提供を目的とする。
効果 隣接パターンが類似するセルパターンを同一のグループに分類し、同一のグループに分類された複数のセルパターンに対して、同一のOPCを施すように構成しているので、マスクパターンの形成方法において、繰り返しパターンの抽出効率を向上することができる。
技術概要
この技術は、マスクパターン形成技術に関し、特に、繰り返しパターンを利用して部分一括露光するキャラクタプロジェクション(CP:Character Projection)法を使用してマスクパターンを形成する技術に関するものである。 マスクパターン形成方法は、下記4工程を有する。 (工程1)機能単位のパターンであるセルパターンを複数種類組み合わせることによりレイアウトパターンを形成する。 (工程2)レイアウトパターンから、同じパターンを有する複数の同一セルパターンを抽出する。 (工程3)工程2で抽出した複数の同一セルパターンのそれぞれに隣接する隣接パターンを比較し、隣接パターンが類似すると判断される複数の同一セルパターンを同一のグループに分類する。 (工程4)工程3で同一のグループに分類された複数の同一セルパターンに対して、隣接パターンを考慮した同一の光近接効果補正を実施する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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