| 出願番号 |
特願2007-178510 |
| 出願日 |
2007/7/6 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2009-016252 |
| 公開日 |
2009/1/22 |
| 登録番号 |
特許第5083874号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
電子源 |
| 技術分野 |
電気・電子、機械・加工、情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、その他 |
| 適用製品 |
電子ビーム加工装置、通信装置、医療装置、半導体装置 |
| 目的 |
この発明は、励起子駆動でありながら、高い励起子生成効率と高濃度生成可能な材料、構造及び、原理上、電子放出エネルギー的制限の無い負の電子親和力表面を持つ高効率電子源を提供する。 |
| 効果 |
この発明の方法によれば、加熱及び高電界印加を必要としない室温で安定した連続電子放出が可能となる。従来の電子を真空外部に取り出す方法と異なり、真空装置などの大掛かりな装置を必要とせず、あらゆる電子ビームを応用する、エレクトロニクス、医療関係への応用が可能になる。 |
技術概要
 |
電子源を作成する方法としては、熱電子放出型と電界放出型があるが、仕事関数、陰極温度、電界強度などの制限要素があり、これらの制限を破るものとして、真空障壁を負にする考え方が期待されているがまだ充分な結果が得られていない。 この発明の電子源発生装置の１例が図に示されている。この装置は、ｐ型ダイヤモンド半導体結晶に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により水素希釈したメタンガスを用いて、励起子活性層となるアンドープドダイヤモンドホモエピタキシャル薄膜を形成し、この上にｎ型ダイヤモンド半導体ホモエピタキシャル薄膜を形成する。その後フォトグラフィ加工によりパターニングし、チタン又は白金によって電極を形成し電子源を完成する。 この電子源の励起エネルギーと電子放出率を示すものを図に示す。 また、この素子のエネルギーバンド構造と電子放出機構を図に示す。 この素子の電子放出原理は、外部からの紫外線によって自由励起子が生成され、これが負の電子親和力表面に到達し、電子放出が行われるものである。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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