pチャネル電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2008000663
開放特許情報登録日
2008/2/15
最新更新日
2015/11/11

基本情報

出願番号 特願2006-339732
出願日 2006/12/18
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2007-086088
公開日 2007/4/5
登録番号 特許第4044122号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 pチャネル電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 イオン感応性電界効果トランジスタ、生体適合型バイオセンサ
目的 水素と窒素の混合プラズマにより水素終端表面をアミノ化し、水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるpチャネル電界効果トランジスタの提供。
効果 この技術によれば生体分子の固定には水素終端構造ではなく、他の終端構造(酸素終端、アミノ終端)が必要であるが、そのような終端構造でもトランジスタが動作することが分かり、表面へ任意の分子を固定する道筋ができた。
技術概要
この技術では、pチャネル電界効果トランジスタにおいて、液体電解質をゲートとして使用し、水素と窒素の混合プラズマにより水素終端表面をアミノ化し、水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとする。即ち、高抵抗表面チャネルを有するダイヤモンド電界効果トランジスタ(FETs)をオゾン(O↓3)処理することにより作製した。このオゾン処理により、ダイヤモンドの表面導電層が徐々に失われた。60分間のオゾン処理cの後、シート抵抗はオゾン処理をしなかったd表面の20〜30倍となり、0.44Vの閾値電圧(Vth)のシフトを引き起こした。閾値電圧の絶対値は、オゾン処理の時間の増加に伴い増加した。よって、閾値電圧がオゾン処理によりコントロールできることが分かった。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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