多層薄膜状光触媒を用いた水素の製造方法

開放特許情報番号
L2008000556
開放特許情報登録日
2008/2/15
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2001-355461
出願日 2001/11/21
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2003-154272
公開日 2003/5/27
登録番号 特許第3666588号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 多層薄膜状光触媒を用いた水素の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 化学工業分野、脱硫工程、悪臭物質、大気汚染物質、多層薄膜状光触媒、多層薄膜状光触媒を用いた水素の製造方法
目的 硫化水素から水素を生成することができる化合物半導体による多層薄膜状光触媒の作製方法の提供。
効果 廉価で取り扱いに便利な高活性の化合物半導体からなる多層薄膜状光触媒を提供できる。この多層薄膜状光触媒は、粒子状の光触媒に比べて、溶液中に分散せず、電析によって基材上に固定化されるために、光の照射角を適切な角度に設定することで照射光を受けてその光エネルギーを変換する効率を向上することができる。
技術概要
この技術では、多層薄膜状光触媒を、化合物半導体原料となる化学種を含有してなる溶液に導電性基材を浸漬し、基材表面に、第1の化合物半導体層および、第1の化合物半導体層のバンドギャップと異なるバンドギャップを有する第2の化合物半導体層を電析により順次、或いは両半導体の混晶比を傾斜的に変化させて析出・固定化せしめて作製する。ここで、混晶比を傾斜的に変化させるとは、例えばZnxCd1−xSの混晶比Xを1から0まで連続的に変化させることをいう。ここで、第2の化合物半導体層のバンドギャップが1.0〜2.5eVであることが望ましい。さらに、化合物半導体はII−VI族化合物半導体或いは金属酸化物半導体であることが好ましい。またさらに、化合物半導体が、硫化亜鉛、硫化カドミウム、または硫化ルテニウムから選ばれることが望ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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