薄膜共振器

開放特許情報番号
L2008000510
開放特許情報登録日
2008/2/15
最新更新日
2011/12/2

基本情報

出願番号 特願2006-060351
出願日 2006/3/6
出願人 学校法人同志社
公開番号 特開2007-243361
公開日 2007/9/20
登録番号 特許第4849445号
特許権者 学校法人同志社
発明の名称 薄膜共振器
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 薄膜共振器
目的 温度変化による共振周波数の変化が小さく、スプリアスモード振動を抑制することができる薄膜共振器を提供する。
効果 圧電体膜の弾性定数変化による作用と接触液の粘性変化による作用が相殺されることにより、共振器の温度変化による共振周波数の変化が抑制される。また、この薄膜共振器は共振器本体が接触液に接触しているため、本体から発生する熱を、接触液を通して外部に放出しやすくなる。これにより、共振器の温度変化(上昇)による共振周波数の変化が更に抑制される。更に、薄膜共振器では、スプリアスモードの中で圧電体膜に平行な方向以外に変位成分を持つ音波が接触液中に漏洩するため、スプリアスモードを減衰させることができる。
技術概要
図1は薄膜共振器であるFBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)10の縦断面図である。シリコンから成るSi基板11は、その中央にそれを貫通する空洞12を有する。Si基板11の上に下部電極13を設け、その上にZnOから成るZnO薄膜14を設け、ZnO薄膜14の上に上部電極15を設ける。ZnO薄膜14は、[0001]方向が薄膜の面内の1方向(図1では左右方向)に配向している。このような配向を「平行配向」と呼ぶ。これらSi基板11、ZnO薄膜14及び上下の電極は、接触液16と共に容器17内に封入されている。ZnO薄膜14、下部電極13及び上部電極15の露出面は接触液16に接触している。また、下部電極13及び上部電極15の一端は容器17に設けた端子181及び182に接続されている。容器17の材料には接触液16に浸食されない絶縁体を用いる。図2はFBAR10の製造方法を示す縦断面図、図3はc軸が面内に配向したZnO薄膜を製造するための装置を示す縦断面図、図4はFBARを示す縦断面図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人同志社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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