高輝度・低駆動電圧型ナノシリコン発光素子とその製造方法

開放特許情報番号
L2008000507
開放特許情報登録日
2008/2/15
最新更新日
2011/7/15

基本情報

出願番号 特願2005-249997
出願日 2005/8/30
出願人 学校法人東京電機大学
公開番号 特開2007-067104
公開日 2007/3/15
登録番号 特許第4756240号
特許権者 学校法人東京電機大学
発明の名称 高輝度・低駆動電圧型ナノシリコン発光素子とその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 高輝度・低駆動電圧型ナノシリコン発光素子
目的 ナノシリコン発光素子からの発光(赤色、緑色、青色)を低い駆動電圧で得る。及び、赤色、緑色、青色を高輝度でかつ安定的に発光させる。また、赤色、緑色、青色を発光するナノシリコン発光素子を製造する製造方法を確立する。
効果 従来の手法では得ることが困難であった低い駆動電圧において、高輝度でかつ安定的な発光を示すナノシリコン発光素子を製造することができる。そして、ナノシリコンは、地球環境や人体に対して優しく、無毒性・無害性であり、このナノシリコン発光素子は、赤色、緑色、青色の各色を、低い駆動電圧で発光するから、ナノシリコン発光素子の利用を、ディスプレイ分野、照明分野、その他の分野にまで広げるものである。
技術概要
粒子サイズ1.5〜2.0nm、2.0〜2.5nm、2.5〜3.5nmの何れかのナノシリコンを多数内包する半導体基板上の酸化ケイ素膜に、フッ酸水溶液処理とブロワー処理を施すことにより形成され、かつ、室温で、低い駆動電圧にて、青色、緑色、赤色の何れかを高輝度で発光する高輝度・低駆動電圧型ナノシリコン発光素子である。また、ナノシリコンが、高周波スパッタリング法で作製したアモルファス酸化ケイ素膜に熱処理を施して形成されたナノシリコンである、高輝度・低駆動電圧型ナノシリコン発光素子である。図1はナノシリコン発光素子の製造過程を示す図である。(A)は、製造過程の初期段階におけるナノシリコンの状態を示す図であり、(B)は、部分的にマスクを付着させた態様を示す図であり、(C)は、フッ酸水溶液処理後の態様を示す図であり、(D)は、一部分マスクを除去した状態を示す図であり、(E)は、フッ酸水溶液処理後のナノシリコンの存在態様を示す図であり、(F)は、ブロワー処理後のナノシリコンの存在態様を示す図であり、そして、(G)は、製造過程の終期段階におけるナノシリコン発光素子の態様を示す図である。図2は高周波スパッタリング装置を示す。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 東京電機大学

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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