発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子とその製造方法

開放特許情報番号
L2008000503
開放特許情報登録日
2008/2/15
最新更新日
2012/9/24

基本情報

出願番号 特願2006-071644
出願日 2006/3/15
出願人 学校法人東京電機大学
公開番号 特開2007-246329
公開日 2007/9/27
登録番号 特許第5045876号
特許権者 学校法人東京電機大学
発明の名称 発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子とその製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子
目的 各種分野での応用を可能にするナノシリコン粒子を、各種溶液内において、高輝度でかつ安定的に蛍光発光させること、及び、ナノシリコン粒子の劣化を防止する、保護膜を得る。また、表面を劣化防止保護膜で被覆したナノシリコン粒子を製造する製造方法を確立する。
効果 溶液内において、ナノシリコン粒子の表面に、安定した保護膜を被覆し、従来の手法では得ることが困難であった、高輝度でかつ安定的に蛍光発光するナノシリコン粒子を製造することができる。
技術概要
紫外光線又は可視光線を照射することにより蛍光発光する粒子サイズ3.5nm以下のナノシリコン粒子を劣化防止保護膜で被覆した発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子である。また、劣化防止保護膜が炭素膜である、発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子である。また、炭素膜がダイヤモンド状炭素膜である、ナノシリコン粒子である。また、ダイヤモンド状炭素膜が、高周波プラズマCVD法で作製したものであるナノシリコン粒子である。図1に、ナノシリコン粒子の表面に劣化防止保護膜を被覆する過程の概要を示す。図2に、高周波プラズマCVD装置を示す。この装置は、概略、側面下部にメタンガス導入口12と排気口13を備える真空チャンバー14、真空チャンバー14の上面に絶縁材料15を介して取り付けられ、冷却管16から導入、排出される冷却水17で冷却される基板ホルダー18、及び、真空チャンバー14の下面に絶縁材料15を介して取り付けられ、冷却管16から導入、排出される冷却水17で冷却される陰極シールド19を備える高周波電極20から構成されている。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 そして、ナノシリコン粒子は、地球環境や人体に対して優しく、無毒性・無害性であり、可視領域で蛍光発光するから、各種溶液に対して耐薬品性、耐腐食性があり、生体適合性に優れている粒子劣化防止保護膜(ダイヤモンド状炭素膜)で被覆された本発明のナノシリコン粒子は、ナノシリコン粒子の利用を、ディスプレイ、照明器具、化粧品、衣料品、服飾品、医薬品、医療用デバイス、その他の分野にまで拡大する。

登録者情報

登録者名称 東京電機大学

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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