軟磁性薄膜及びその製造方法並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド

開放特許情報番号
L2008000500
開放特許情報登録日
2008/2/15
最新更新日
2008/4/11

基本情報

出願番号 特願2002-080093
出願日 2002/3/22
出願人 学校法人早稲田大学、富士通株式会社
公開番号 特開2003-282320
公開日 2003/10/3
登録番号 特許第4041948号
特許権者 学校法人早稲田大学、富士通株式会社
発明の名称 軟磁性薄膜及びその製造方法並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 軟磁性薄膜並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド
目的 無電解めっき法により得られ、特には高飽和磁束密度(Bs)が1.6T以上、比抵抗が40μΩcm以上の値を有する軟磁性薄膜、その製造方法、その軟磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドを提供する。
効果 この軟磁性薄膜は、良好な低保磁力、高いBs、高い比抵抗を併せ持ち、この軟磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドは高い書き込み能力を有するものである。
技術概要
Co、Ni、Fe、B及びCを含有し、Co含有量が40〜80at%、Fe含有量が15〜40at%、Ni含有量が5〜20at%、B含有量が0.5〜5at%、C含有量が0.4〜5at%であり、無電解めっき法により作製された軟磁性薄膜である。また、比抵抗が40μΩcm以上である軟磁性薄膜である。図1は、磁気ヘッドであり、図1(a)は、磁気ヘッドのエアベアリングサーフェース(ABS)と垂直な断面図及び図1(b)は、ABSから見た断面図である。図1に示す薄膜磁気ヘッドは、下部磁性層6とギャップ層8が積層され、その上にパターニングされた上部磁極端9を配置し、パターニングした絶縁層11と導体層からなる書き込みコイル10を配置し、それらの上に上部磁性層12が積層されてなる記録用ヘッドと、下シールド層3の上に2つのギャップ層4に挟まれた磁気抵抗効果素子5を配置し、それらの上に上シールド層6’が積層されてなる再生用ヘッドとからなる。図2は、磁気ヘッドの他の実施形態であり、図2(a)は、磁気ヘッドのエアベアリングサーフェース(ABS)と垂直な断面図及び図2(b)は、ABSから見た断面図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 本件は、『早稲田大学技術シーズ集(問合NO.163)』に掲載されている案件です。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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