透明導電膜の製造方法および製造装置

開放特許情報番号
L2008000344
開放特許情報登録日
2008/2/1
最新更新日
2010/11/5

基本情報

出願番号 特願2005-350575
出願日 2005/12/5
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2007-154255
公開日 2007/6/21
登録番号 特許第4599595号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 透明導電膜の製造方法および製造装置
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、フラットパネルディスプレイ
目的 MPS法で酸化物による導電膜を形成する際に、抵抗率分布の均一性の向上を図る透明導電膜の製造方法および製造装置の提供。
効果 本技術によれば、抵抗率分布の均一性を向上した透明導電膜を作製することができる。
技術概要
本技術の透明導電膜の製造方法は、酸化物をターゲットとして用い、不活性ガスに水素及び/又は有機ガスを導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により基体上に透明導電膜を形成する。又、透明導電膜の製造装置は、酸化物を主な成分とするターゲットを保持するターゲットホルダと、スパッタされたターゲットの成分が薄膜として形成される基体を保持する基体ホルダと、ターゲットと基体とを含む空間を所望の真空度に維持するための真空チャンバと、真空チャンバに不活性ガスと水素及び/又は有機ガスとを供給するガス供給源と、ターゲットホルダを有し、ターゲットの表面近傍でマグネトロン放電を維持するために磁界を発生するマグネトロンカソード部と、マグネトロンカソード部または基体ホルダに高周波電力を重畳した直流電力を供給する電力供給源と、を備え、基体上に透明導電膜を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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