| 出願番号 |
特願2004-294599 |
| 出願日 |
2004/10/7 |
| 出願人 |
学校法人金沢工業大学 |
| 公開番号 |
特開2006-107974 |
| 公開日 |
2006/4/20 |
| 登録番号 |
特許第4534055号 |
| 特許権者 |
学校法人金沢工業大学 |
| 発明の名称 |
イオン源 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
半導体デバイス、ドーパントのドーピング深さ、マイクロ波電力 |
| 目的 |
プラズマの生成手段を直流アーク放電、マイクロ波の一方または双方に切り換えることによって、放出するイオンの種類を電気的に選択し、ドーピング深さを広く可変することができるイオン源の提供。 |
| 効果 |
この技術は、直流アーク放電、マイクロ波の一方または双方を電気的に選択することにより、数ｎｍオーダの極浅ドーピング用のＢＦ↓２↑＋から、数１００ｎｍオーダの極深ドーピング用のＢ↑（＋＋）までの各種のイオンを切り換えてそれぞれ大量にイオン注入することができ、ドーピング深さを広く可変することができる。 |
技術概要
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この技術では、フィラメントの加熱を停止し、アーク放電用の電源を停止させ、導波管に接続するマイクロ波発振器を作動させると、プラズマ室内の原料ガスに導波管からのマイクロ波を投入して原料ガスをプラズマ化し、プラズマ室をマイクロ波イオン源として作動させることができる。すなわち、イオン引出口、引出し電極のスリットを介し、ＢＦ↓２↑＋、Ｂ↑＋を主とするイオンビームを引き出すことができる。ただし、このとき、プラズマ室の軸方向に加える磁界を適切に設定すると、ＢＦ↓２↑＋の放出量を特に多くすることができる。マイクロ波イオン源は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波に対する電子サイクロトロン共鳴磁界Ｂｏ＝８７．５ｍＴの数分の１相当の磁界Ｂ＝１０〜３０ｍＴを加えることにより、放出するＢＦ↓２↑＋のイオンビームに顕著なピークを生じるからである。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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