イオン源

開放特許情報番号
L2008000323
開放特許情報登録日
2008/2/1
最新更新日
2010/7/16

基本情報

出願番号 特願2004-294599
出願日 2004/10/7
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2006-107974
公開日 2006/4/20
登録番号 特許第4534055号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 イオン源
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 半導体デバイス、ドーパントのドーピング深さ、マイクロ波電力
目的 プラズマの生成手段を直流アーク放電、マイクロ波の一方または双方に切り換えることによって、放出するイオンの種類を電気的に選択し、ドーピング深さを広く可変することができるイオン源の提供。
効果 この技術は、直流アーク放電、マイクロ波の一方または双方を電気的に選択することにより、数nmオーダの極浅ドーピング用のBF↓2↑+から、数100nmオーダの極深ドーピング用のB↑(++)までの各種のイオンを切り換えてそれぞれ大量にイオン注入することができ、ドーピング深さを広く可変することができる。
技術概要
この技術では、フィラメントの加熱を停止し、アーク放電用の電源を停止させ、導波管に接続するマイクロ波発振器を作動させると、プラズマ室内の原料ガスに導波管からのマイクロ波を投入して原料ガスをプラズマ化し、プラズマ室をマイクロ波イオン源として作動させることができる。すなわち、イオン引出口、引出し電極のスリットを介し、BF↓2↑+、B↑+を主とするイオンビームを引き出すことができる。ただし、このとき、プラズマ室の軸方向に加える磁界を適切に設定すると、BF↓2↑+の放出量を特に多くすることができる。マイクロ波イオン源は、2.45GHzのマイクロ波に対する電子サイクロトロン共鳴磁界Bo=87.5mTの数分の1相当の磁界B=10〜30mTを加えることにより、放出するBF↓2↑+のイオンビームに顕著なピークを生じるからである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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