走査型アトムプローブおよび走査型アトムプローブを用いた分析方法

開放特許情報番号
L2008000300
開放特許情報登録日
2008/2/1
最新更新日
2009/11/6

基本情報

出願番号 特願2002-590391
出願日 2002/3/22
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 WO2002/093615
公開日 2002/11/21
登録番号 特許第4111501号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 走査型アトムプローブおよび走査型アトムプローブを用いた分析方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 電界放射顕微鏡、電界イオン顕微鏡
目的 試料表面を原子レベルの分解能で分析可能な走査型アトムプローブと、その走査型アトムプローブを利用した分析方法の提供。
効果 本技術は、試料の表面を分析する分析装置および分析方法に利用可能である。
技術概要
この技術では、まず、表面形状分析部により試料の表面形状が分析される。つづいて、引出電極が試料表面の所望の分析領域に位置合わせされる。分析領域の電子状態を分析する場合は、試料に直流高圧電源から負のバイアス電圧を印加し、電界放射された電子をスクリーンにより検出する。分析領域の原子配置および組成をを分析する場合は、試料に直流高圧電源およびパルス発生器から正の電圧を印加し、電界蒸発により生成した陽イオンを、位置感知型イオン検出器またはリフレクトロン型質量分析器により検出する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

海外登録国 アメリカ合衆国
関連特許
国内 【有】
国外 【有】  アメリカ合衆国、欧州特許庁
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