物体の加工処理方法と、その装置

開放特許情報番号
L2008000280
開放特許情報登録日
2008/2/1
最新更新日
2008/2/1

基本情報

出願番号 特願平10-091749
出願日 1998/4/3
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開平11-297493
公開日 1999/10/29
登録番号 特許第3463159号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 物体の加工処理方法と、その装置
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 三次元の複雑形状の被処理物体、均一なイオンドーピング処理
目的 真空槽内の原料ガスを間欠的に電離させてプラズマを生成することによって、金属イオンを利用する場合であっても、複雑形状の被処理物体に対して均一な加工処理を容易に、しかも安定に実現することができる物体の加工処理方法と、その装置の提供。
効果 原料ガスは、被処理物体の周囲に均一に拡散されてプラズマ化されるから、三次元の複雑形状の被処理物体に対して均一な加工処理を容易に実現することができる上、原料ガスがプラズマ中に導入されることがないから、金属イオンを利用する場合であっても、金属が導入口の近傍などに付着したり、それによって操業の安定性が損われたりするおそれがない。
技術概要
この技術では、三次元の複雑形状の被処理物体の表面に均一な加工処理をするに際し、被処理物体を収容する真空槽に一定の加工処理用の原料ガスを導入し、真空槽内の原料ガスの圧力を間欠的に変化させるとともに原料ガスを間欠的に電離させてプラズマを生成し、原料ガスの圧力変化に対し、原料ガスが被処理物体の周囲に均一に拡散するに要する時間相当だけ遅らせて原料ガスの電離の開始時期を同期させる。即ち、原料ガスは、真空槽内に導入され、真空槽内の被処理物体の周囲に均一に拡散された後、電離されてプラズマを生成し、イオンシースを介して所定のイオンが被処理物体の表面に向けて加速され、被処理物体に対して所定の加工処理をすることができる。原料ガスの電離の開始時期は、原料ガスの拡散に要する時間相当のオフ時間をおいて、原料ガスの電離、イオンシースの形成、イオンの加速に要する時間相当のオン時間を有するように設定すればよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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