超高感度画像検出装置およびその製造方法

開放特許情報番号
L2008000059
開放特許情報登録日
2008/1/11
最新更新日
2012/7/30

基本情報

出願番号 特願2005-020265
出願日 2005/1/27
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 特開2006-210620
公開日 2006/8/10
登録番号 特許第4982729号
特許権者 国立大学法人北海道大学
発明の名称 超高感度画像検出装置およびその製造方法、検出方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 超高感度画像検出装置
目的 光子1個が入ったことを高感度で検出できるような超高感度画像検出装置およびその製造方法を実現する。
効果 光子1個で電子1個分の電流が流れるような構成とは異なり、光子1個で顕著に大きな電流が流れ、それを検出すればよいので、光子1個の入力を容易に検出することができる。それゆえ、光子1個が入ったことを高感度で検出できるような超高感度画像検出装置およびその製造方法を実現することができる。
技術概要
図1は、超高感度画像検出装置のデバイス構造(MOS(Metal Oxide Semiconductor)構造)を示す。半導体基板17上に、基板不純物拡散層16が形成され、基板不純物拡散層16上にソース電極11およびドレイン電極15が形成され、その上に、ゲート絶縁膜(ゲート酸化膜)14、さらにその上にゲート電極13が形成されている。ゲート絶縁膜14中には量子ドット12が形成されている。これにより、トランジスタが構成されている。画像検出装置(超高感度画像検出装置)1は、図1中、上方向から、画像に応じた光子が入力され、その光子を二次元的に捉えるために、半導体基板17上に、図1中、上向きに、光子検出素子としてのトランジスタが、二次元的なアレイとして配置された構成となっている。図1の構成では、トランジスタをMOS構造により作製し、量子ドット12を、ゲート酸化膜(ゲート絶縁膜14)中に埋め込んだシリコン微粒子により作製している。図2は、超高感度画像検出装置のデバイス構造(HEMT(High Electro Mobility Transistor)構造)を示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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