GaN系電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2008000012
開放特許情報登録日
2008/1/4
最新更新日
2008/1/4

基本情報

出願番号 特願2006-138878
出願日 2006/5/18
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2007-311537
公開日 2007/11/29
発明の名称 GaN系電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 GaN系電界効果トランジスタ
目的 高出力、高耐圧、高速、高周波化などを達成し得るGaN系ヘテロ接合トランジスタを提供する。
効果 ソース電極金属、ドレイン電極金属と窒化物半導体の間に絶縁膜を挟む構造のFETを製造でき、その結果、高出力、高耐圧、高速、及び高周波化などを達成し得るヘテロ接合トランジスタを提供することができる。特に、AlGaN/GaNおよびAlN/GaNヘテロ接合トランジスタにおいて、触媒化学気相堆積法により形成されたSiN絶縁膜の薄層を、窒化物半導体層とオーミック電極金属との間に設け、アニールを加えて合金化することで、極めて低いコンタクト抵抗を得ることができる。
技術概要
図1は、ヘテロ接合FETを表す概略図である。図1に示されるように、ヘテロ接合FET1は、基板2と、基板上に設けられたバッファ層3と、バッファ層上に設けられたチャネル層4と、チャネル層上に設けられた障壁層5とを含む。図1に示されるように、ヘテロ接合FETは、ソース電極6、ゲート電極7、ドレイン電極8が設けられている。また、図中9は、絶縁膜を示す。なお、二次元電子ガスチャネルはチャネル層と障壁層の界面に形成される。また、FETがスペーサー層を具備する場合、二次元電子ガスはチャネル層とスペーサー層との界面に形成される。図1に示される例では、ソース電極及びドレイン電極が絶縁膜9上に形成され、ゲート電極は障壁層5の表面から直接形成されている。なお、図2は、図1とは別のFETを示す概略図である。図3は、RFプラズマ分子線エピタキシー成長法(RF−MBE法)に用いられるRF−MBE装置の概略構成を示す図である。RF−MBE装置は、真空ポンプによって超高真空を実現できる成長室11内に加熱手段12を設け、この加熱手段によってサファイア基板13を昇温する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 半導体上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上にオーミック電極を形成することで、オーミックコンタクト抵抗の非常に低いソースおよびドレイン電極を有するヘテロ接合FETを提供できる。
改善効果2 半導体上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上にオーミック電極を形成することで、ソースおよびドレインコンタクト抵抗が低く、大きなドレイン電流、及び出力を得られるヘテロ接合FETを提供できる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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