β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法

開放特許情報番号
L2007007547
開放特許情報登録日
2007/11/30
最新更新日
2015/11/10

基本情報

出願番号 特願2006-063565
出願日 2006/3/9
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2007-238507
公開日 2007/9/20
登録番号 特許第4590606号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法
技術分野 有機材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、医薬品などファインケミカルの合成中間体として広く利用される。
目的 求核剤としてアミドを用いる温和な条件下でのアルドール反応により、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を高収率で製造する方法を提供する。
効果 β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を過剰の塩基等を用いることなく温和な反応条件の下、高収率で得ることができ、その工業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
バリウム−tert−ブトキシド等のバリウムアルコキシドを触媒として用い、式(2)[R↑4は(置換)アリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基;R↑5は水素原子又はパーフルオロアルキル基]で表されるカルボニル化合物と、式(1)[R↑1は水素原子、ヘテロ環、又は(置換)炭化水素基;R↑2は(置換)炭化水素基;R↑3は(置換)アリール基]で表されるアミドとをアルドール反応させることにより、式(3)で表される、3−(p−メトキシフェニルアミノ)−3−オキソ−1−フェニルプロピル tert−ブチルカルボナート等のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を製造する。尚、反応系に、o−クレゾール等のフェノール化合物を添加し、更に、ゼオライト等の脱水剤を添加する。また、反応温度は、−20℃〜40℃程度が好ましく、より好ましくは0℃〜室温である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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