半導体レーザ及び半導体レーザの発振方法

開放特許情報番号
L2007007458
開放特許情報登録日
2007/11/30
最新更新日
2015/10/28

基本情報

出願番号 特願2003-101367
出願日 2003/4/4
出願人 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
公開番号 特開2004-311619
公開日 2004/11/4
登録番号 特許第3760235号
特許権者 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
発明の名称 半導体レーザ及び半導体レーザの発振方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体レーザ及び半導体レーザの発振システム
目的 レーザの発振方法に多様性を持たせた新規な構成の半導体レーザ及び半導体レーザの発振方法を提供する。
効果 順方向電圧及び逆方向電圧のいずれの場合においても発振動作を行うことができ、多様なレーザ発振を実現することができる半導体レーザ及び半導体レーザの発振方法を提供することができる。
技術概要
図1は、半導体レーザを示す構成図であり、図2は、図1に示す半導体レーザにおける半導体層群の接合状態を模式的に示す図である。図1に示す半導体レーザ10は、基板11上において、n型エミッタ層12、p型ベース層13、活性層14、n型ベース層15、及びp型エミッタ層16が順次積層されている。なお、p型エミッタ層16はメサストライプ状を呈している。n型エミッタ層12、p型ベース層13、活性層14、n型ベース層15、及びp型エミッタ層16は、半導体層群20を構成する。この半導体層群20が半導体レーザとして機能する。p型エミッタ層16上にはキャップ層17を介して電極層21が設けられており、n型ベース層15上には絶縁層18を介して電極層22が設けられている。また、p型ベース層13の一部露出した表面上には、電極層23が設けられており、基板11の裏面には電極層24が設けられている。半導体レーザ10は、PN接合型の半導体レーザ部分と、npn型のバイポーラトランジスタと、pnp型のバイポーラトランジスタとを有しているので、これらを独立に制御することによって、多様なレーザの発振を行うことが可能になる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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