固溶体単結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2007007439
開放特許情報登録日
2007/11/30
最新更新日
2015/10/28

基本情報

出願番号 特願2002-350886
出願日 2002/12/3
出願人 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
公開番号 特開2003-238287
公開日 2003/8/27
登録番号 特許第4239065号
特許権者 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
発明の名称 固溶体単結晶の製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 固溶体単結晶システム
目的 長尺の均一組成の混晶単結晶を安定性よく生成することが可能な単結晶製造方法を提供する。
効果 この方法によれば、拡散による溶融帯の高温側への移動速度と実質的に同じ速度で試料を低温側へ移動させ、成長界面での温度を常に一定に保つので組成均一性のある結晶長さを大幅に増大させることができる。また、溶融帯内では過飽和に伴って発生する核生成を有効に防止することができ、単結晶が再現性良く製造できる。したがって、均一組成の単結晶長さを有効に増大させることができ、かつこのような長い単結晶の均一組成の固溶体(混晶)を再現性良く製造できる。
技術概要
図1に示すように、単結晶製造装置6は原料を溶融するための加熱装置7を備えている。加熱装置7はドーナツ状をなしており、その中空部にはその中心線の方向すなわち軸方向にそって原料を装填した図2に示すような原料容器11が配置される。原料容器は円筒状をなしており、内部に原料のIn↓xGa↓1↓−↓xAsが装填される。原料容器11は、軸方向に延びる支持棒8の先端に取り付けられており、支持棒8の基端側は、ステップモータを動力源とする駆動機構9を有し、支持棒上に形成された溝と噛み合っておりるラックアンドピニオンによる動力伝達を受けるようになっている。これによって支持棒8の先端にとりつけられた原料容器11は加熱装置7のドーナツ型空間内を軸方向に制御された速度で加熱装置7に対して相対的に移動することができる。原料容器11の加熱装置空間内での移動速度は、制御機構10によって所定の速度に制御されるようになっている。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 特定の材料に限定されるものではなく、広く一般の固溶体の単結晶製造に応用できるが、特にInAs−GaAsやPbTe−SnTeなどの化合物半導体の固溶体は、レーザダイオードの作製用基板として高品質化や組成均一化が要求されるので、有望な応用分野である。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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