球状単結晶シリコンの製造方法

開放特許情報番号
L2007007382
開放特許情報登録日
2007/11/30
最新更新日
2015/10/28

基本情報

出願番号 特願2001-156689
出願日 2001/5/25
出願人 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
公開番号 特開2002-348194
公開日 2002/12/4
登録番号 特許第3607218号
特許権者 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
発明の名称 球状単結晶シリコンの製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体デバイス、半導体装置、マイクロマシン
目的 過冷液滴の凝固過程における観察結果から得られた知見をベースにし、過冷度を適正に制御することにより液滴から球状単結晶シリコンを直接製造する技術の開発。
効果 シリコン液滴の直径dに応じた臨界過冷度ΔT↓(cr)を基準とし、過冷度ΔTを適正に管理することによって凝固膨張に起因するクラックや双晶の少ない高品位の球状単結晶シリコンを得る方法によると、高い再現性で球状単結晶シリコンが製造されるため、低価格次世代ICとして有用な半導体材料を提供できる。
技術概要
 
この技術は、過冷したシリコン液滴から凝固核を生成させて球状単結晶シリコンを作製する際、シリコン液滴の臨界過冷度ΔT↓(cr)及び直径dが(d=5mm,ΔT↓(cr)=100K),(d=3mm,ΔT↓(cr)=120K),(d=1mm,ΔT↓(cr)=150K)を満足するように、シリコン液滴の直径dに応じて設定された臨界過冷度ΔT↓(cr)以下にシリコン液滴を過冷することを特徴とするものである。このようにシリコン液滴の直径dに応じて過冷度ΔTを適正に制御すると、高品位の球状単結晶シリコンを製造できる。また、単結晶化の条件が大幅に緩和されるため、大径の球状単結晶シリコンも作製可能となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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