AlN障壁層を有するGaN系電界効果トランジスタ、及びそのような電界効果トランジスタの製造方法

開放特許情報番号
L2007006506
開放特許情報登録日
2007/10/26
最新更新日
2007/10/26

基本情報

出願番号 特願2006-056719
出願日 2006/3/2
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2007-234986
公開日 2007/9/13
発明の名称 AlN障壁層を有するGaN系電界効果トランジスタ、及びそのような電界効果トランジスタの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ヘテロ接合電界効果トランジスタ、分極電界効果、チャネルの抵抗、クラック、高品質な結晶、結晶成長
目的 高出力、高耐圧、高速、高周波化などを達成し得る新規なGaN系ヘテロ接合トランジスタを提供すること、リセス構造をとらない均一な膜厚を有する障壁層を用いたヘテロ接合FETを提供すること、さらに、二次元電子濃度が高く、しかも相互コンダクタンス特性に優れ、大きな出力を得られるヘテロ接合FETを提供することの実現。
効果 ヘテロ接合FETは、AlN障壁層を採用したので、障壁層の分極効果を最大限高めることができる。これにより、ヘテロ界面における二次元電子濃度が高くなり、高い出力を得ることができる。また、このAlN/GaNヘテロ接合FETは、障壁層の厚さを薄くできるので、ゲートの効きが良くなり、優れた相互コンダクタンスを得ることができる。
技術概要
この技術は、電界効果トランジスタは、GaN又はInGaNからなるチャネル層と、AlNからなる障壁層と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜を有する電界効果トランジスタである。このように、採用されていなかったAlN/GaNヘテロ接合トランジスタという構成を採用した場合であっても、好ましいトランジスタ特性を得ることができる。また、このAlN/GaNヘテロ接合トランジスタは、通常のトランジスタに比べて障壁層の厚さが薄いこととなるが、好ましい相互コンダクタンスを得ることができ、トランジスタとして有効に機能することとなる。GaN系ヘテロ接合FETは、AlN障壁層表面に絶縁膜を堆積することにより、障壁層の表面準位を大幅に減らすことができる。これにより、ヘテロ界面における分極効果に対するAlN表面準位の電界効果を減らすことができ、結果として二次元電子濃度が高くなり、トランジスタとして高い出力を得ることができることとなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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