炭化けい素半導体装置

開放特許情報番号
L2007005666
開放特許情報登録日
2007/9/21
最新更新日
2007/9/21

基本情報

出願番号 特願平09-166860
出願日 1997/6/24
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開平11-017176
公開日 1999/1/22
登録番号 特許第3371763号
特許権者 株式会社日立製作所
発明の名称 炭化けい素半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 炭化けい素半導体装置
目的 高速,低損失な高耐圧トレンチMOSFETを提供する。
効果 以上説明したように本発明のSiC半導体装置によれば、ゲート部より深い第二のトレンチ、およびその第二トレンチに沿ってp型領域を設けることによって、電圧印加時にp型領域から拡がる空乏層により、ゲート絶縁膜にかかる電界強度が緩和される。したがって、ゲート絶縁膜が絶縁破壊することのない、アバランシェ耐量の大きいSiCトレンチMOSFETとすることができる。
技術概要
 
第一導電型の炭化けい素半導体サブストレート1上に順に形成されたサブストレートより不純物濃度の低い炭化けい素のn−ドリフト層2と炭化けい素の第二導電型ベース層3と、第二導電型ベース層に形成された第一導電型ソース領域4と、第一導電型ソース領域の表面から第一導電型ドリフト層に達するトレンチを有し、トレンチ内に絶縁膜を介してゲート電極を備える炭化けい素トレンチMOSFETにおいて、前記トレンチよりさらに深い第二のトレンチおよびその第二トレンチに沿って第二導電型領域を備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 特許通常実施権の許諾(非独占)

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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