タンパク超分子のパターニング方法

開放特許情報番号
L2007005565
開放特許情報登録日
2007/9/21
最新更新日
2007/9/21

基本情報

出願番号 特願2005-088235
出願日 2005/3/25
出願人 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
公開番号 特開2006-269905
公開日 2006/10/5
発明の名称 タンパク超分子のパターニング方法
技術分野 電気・電子
機能 その他
適用製品 タンパク超分子のパターニングシステム、半導体デバイス
目的 従来確立していなかったタンパク超分子をシリコン基板上で適切にパターニングする方法を確立し、この方法によるタンパク質を用いた半導体新規デバイスを提供する。
効果 電荷を帯びた材料をパターニングし、金属内包タンパク質を、電荷を帯びた材料に吸着させることにより、金属内包タンパク質を半導体基板上に直接パターニングしたのと同等の効果を生ずる。すなわち、電荷を帯びた材料はリソグラフィ技術によりパターニングできるので、金属内包タンパク質をリソグラフィの精度で半導体基板にパターニングできる。
技術概要
図1はポジ型フォトリソグラフィ工程におけるパターニング工程図、図2はポリエレクトロライト滴下以降の工程の詳細図である。(a)UVアッシング工程により灰化した後に、(b)レジスト堆積工程でフォトレジストを滴下しレジスト薄膜を形成する。それから(c)露光工程でステッパーにより回路パターンが焼き付けられているガラスマスクを通して紫外線をフォトレジストに照射した後、(d)現像工程で露光部を溶剤で溶かしている。そして、(e)エッチング工程で酸化膜を除去した後に、(f)ポリエレクトロライトを滴下する。その後、(g)レジストを除去することによりレジスト上部のポリエレクトロライトも除去される。ここでポリエレクトロライトはシリコン基板上でパターニングされたこととなる。最後に(i)フェリチンをポリエレクトロライト上に滴下する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 電荷の相違による静電相互作用を利用して、金属内包タンパク質を、電荷を帯びた材料に選択的に吸着させる効果が生じる。金属内包タンパク質を滴下等する場合に、パターニングされた電荷を帯びた材料以外の場所に滴下等されても、電荷の相違による相互作用がないので吸着せず、電荷を帯びた材料に引き寄せられることとなる。
改善効果2 pHの調整により容易に電荷の相違を発生させることができる。タンパク質は両性電解質なので、溶媒中のpHを変化させることにより正負の電荷が等しくなる等電点を境にして、プラスチャージ又はマイナスチャージに制御できるからである。
改善効果3 高分子フィルムを採用することにより、フォトレジスト上の薄膜形成を容易に行うことができる。また、電荷を帯びた材料として、好ましくはポリエレクトロライトを採用することにより、薄膜形成をより容易にすることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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