薄膜トランジスタの製造方法

開放特許情報番号
L2007005564
開放特許情報登録日
2007/9/21
最新更新日
2013/6/18

基本情報

出願番号 特願2007-512753
出願日 2006/3/28
出願人 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
公開番号 WO2006/109565
公開日 2006/10/19
登録番号 特許第5238994号
特許権者 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
発明の名称 薄膜トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 薄膜トランジスタ
目的 バイオテクノロジーを取り入れることによりタンパク質を利用して、結晶化に必要なニッケル量の制御を行い、更に、ニッケルコアの分布密度を調整することにより結晶化において要求される所望の結晶粒径を獲得する。
効果 非結晶シリコンの表面にタンパク質の超分子コアをタンパク質の自己組織化能を利用して配列し、これを結晶核として結晶化させることにより、薄膜トランジスタのチャンネル層を形成する膜の結晶性を制御できる。これにより、高品質の薄膜トランジスタを得ることができる。
技術概要
タンパク質の超分子コアを用いて、これを結晶核として結晶化した膜をチャンネル部分に用いた薄膜トランジスタが提供される。非結晶シリコンの表面にタンパク質の超分子コアを配列し、熱処理することにより、結晶性を制御できることから、このタンパク質の超分子コアを結晶核として結晶化させた膜をチャンネル部分に用いることにより、高品質の薄膜トランジスタを提供する。また、このタンパク質にフェリチンを用いた薄膜トランジスタが提供される。フェリチンのコアの直径は7nmであり、大きさ、すなわち、金属の量が非常にそろっていることから、タンパク質のコアの密度を制御することにより正確に、非結晶シリコンの表面に堆積すべき金属の量を制御できる。また、タンパク質の超分子コアが、化学反応によって、超分子コアに内包されている金属以外の金属に置換されている薄膜トランジスタが提供される。化学反応によって、タンパク質の超分子コアの金属の種類を変えることができるため、非結晶シリコンだけでなくゲルマニウムなどのさまざまな種類の非結晶膜に対応可能となる。図1はNi内包のフェリチンを用いた固定成長法のプロセスフロー図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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