半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、光電変換素子の製造方法及び光電変換素子

開放特許情報番号
L2007005444
開放特許情報登録日
2007/9/14
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2007-150108
出願日 2007/6/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-078619
公開日 2008/4/3
登録番号 特許第5246839号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、光電変換素子の製造方法及び光電変換素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、光電変換素子の製造方法、カルコパイライト構造
目的 Ib族元素とIIIb族元素とSeを含むVIb族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、CIGS系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することの実現。
効果 るつぼ加熱によるセレン蒸気と異なり、非製膜時には完全に供給を止めることができるのでセレン原料の浪費を防げる。また、クラックドSeはセレン蒸気よりも低分子で反応効率が高く、製膜のためのSe原料消費量を格段に少なくすることが可能である。
技術概要
この技術では、Ib族元素とIIIb族元素とSeを含むVIb族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法は、半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いることを特徴とする。また、Cu(In↓(1−x)Ga↓x)(Se↓yS↓(1−y))↓2(0≦x≦1、0<y≦1)を有するカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法において、半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングしてラジカル化したセレンを用いることを特徴とする。Ib族元素とIIIb族元素とSeを含むVIb族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造装置は、ヒーターにより加熱溶融したセレンを保持するセレン原料タンクと、セレン蒸気をセレン原料タンクから放電室に導く配管手段と、配管手段に設けられたバルブと、プラズマガス及びRFパワーが導入され、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを生成する放電室とを含むセレン源を備えるものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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