酸化亜鉛光デバイス、酸化亜鉛光デバイスの利用方法、および酸化亜鉛半導体レーザー

開放特許情報番号
L2007004915
開放特許情報登録日
2007/9/7
最新更新日
2012/3/16

基本情報

出願番号 特願2005-372927
出願日 2005/12/26
出願人 学校法人東京理科大学
公開番号 特開2007-173739
公開日 2007/7/5
登録番号 特許第4922611号
特許権者 学校法人東京理科大学
発明の名称 酸化亜鉛光デバイス、酸化亜鉛光デバイスの製造方法、および酸化亜鉛光デバイスの利用方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコン加工技術、酸化亜鉛薄膜、新規な光集積回路
目的 酸化亜鉛薄膜に電流を流すことにより発光させる酸化亜鉛光デバイス、酸化亜鉛光デバイスの利用方法、および酸化亜鉛半導体レーザーの提供。
効果 シリコン基板と酸化亜鉛薄膜の間にpn接合を容易かつ安価に形成でき、pn接合における電子・正孔対消滅に起因する発光、および、希土類元素、特にエルビウムのエネルギー準位間遷移に起因して発光する光デバイスを容易に実現することができる。
技術概要
一方の面に導電薄膜が設けられたp型シリコン基板と、p型シリコン基板の他方の面にpn接合されたn型酸化亜鉛薄膜と、n型酸化亜鉛薄膜の他方の面に形成された第1の光透過性導電薄膜とを備える酸化亜鉛光デバイスにおいて、この技術では、p型シリコン基板の表面に酸化亜鉛をレーザー・アブレーション技術により積層させ、その後にアニールすることにより、p型シリコン基板1とn型酸化亜鉛薄膜をpn接合させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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