半導体装置

開放特許情報番号
L2007004807
開放特許情報登録日
2007/9/7
最新更新日
2010/6/4

基本情報

出願番号 特願2002-090685
出願日 2002/3/28
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開2002-373971
公開日 2002/12/26
登録番号 特許第3723869号
特許権者 日立オートモティブシステムズ株式会社
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 加熱・冷却
適用製品 半導体装置
目的 半導体スイッチをブリッジ接続する配線のインダクタンスを低減し、かつ、小型化を実現する半導体装置を提供することにある。
効果 以上説明したように、本発明によれば、半導体装置は電流路となる導体板を積層した絶縁基板において低インダクタンスの配線レイアウトを有するので、スイッチング時に半導体スイッチに印加される電圧を抑制し、より低耐圧の半導体素子の使用を可能にし、その結果、半導体装置の発熱低減の効果がある。加えて、インダクタンスの低減には、スイッチング時の半導体素子損失を低減する効果があり、また、発熱の低減は、信頼性の向上、冷却コストの削減に効果がある。
技術概要
 
半導体装置内において、ブリッジ接続された2個の制御可能な半導体スイッチ13a,bと、出力端子と、正極負極直流端子2,3と、直流端子間に半導体スイッチをブリッジ接続する導体部を表面及び内層に備えた導体層12,17,19と絶縁層16,18を交互に積層して絶縁基板15aを形成し、表面と内層の導体層12,17に挟まれた絶縁層16を貫通する導体20により絶縁層16を挾む表面と内層の導体層12,17を電気接続し、絶縁基板上に2個の半導体スイッチを実装するブリッジ回路に流れる電流を絶縁層16を挾む導体層12,17間において対向する向きに流すように電流経路(点線)を設ける。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 特許通常実施権の許諾(非独占)

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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