半導体集積回路及びその製造方法

開放特許情報番号
L2007004713
開放特許情報登録日
2007/9/7
最新更新日
2010/6/4

基本情報

出願番号 特願2000-222848
出願日 2000/7/24
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開2002-043519
公開日 2002/2/8
登録番号 特許第3597762号
特許権者 日立オートモティブシステムズ株式会社
発明の名称 半導体集積回路及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体集積回路
目的 複数個のMOS FETが必要であり、かつ各々のMOS FETに要求される特性(例えば、最大ドレイン電流定格)が異なる場合、一つのパッケージ内に複数個のMOS FETを有し、かつ複数個あるMOS FETの特性をそれぞれ異なる仕様に容易にカスタマイズできる半導体集積回路を提供する。
効果 特にMOS FETを用いた半導体集積回路において、一つのパッケージで異なる仕様をもつ複数のMOS FETを低コストでかつ短い期間で製造できる。
技術概要
 
複数のMOS FET基本セル14a〜14hを自由に並列接続できる構造とし、一つのパッケージ内に複数個の特性の異なる仕様のMOS FET群を構成するようにした。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 特許通常実施権の許諾(非独占)

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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