被膜の窒化方法

開放特許情報番号
L2007004027
開放特許情報登録日
2007/8/31
最新更新日
2011/8/26

基本情報

出願番号 特願2005-254698
出願日 2005/9/2
出願人 国立大学法人 宮崎大学
公開番号 特開2007-128924
公開日 2007/5/24
登録番号 特許第4783895号
特許権者 国立大学法人 宮崎大学
発明の名称 被膜窒化方法、被膜形成基板および窒化処理装置
技術分野 無機材料、電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 簡便な操作で実施でき、トランジスタ等を含む集積回路(IC)や高密度集積回路(LSI)、超LSI等のゲート酸化膜(被膜)表面を窒化させる分野等で広く利用される。
目的 基板にダメージを与えることなく基板の最表面を窒化させる被膜窒化方法、被膜形成基板及び窒化処理装置を提供する。
効果 従来法に比較して、プラズマによるダメージが発生することなく、基板の最表面を窒化でき、その産業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
アンモニア等の窒素含有気体雰囲気中に波長172nm〜126nmの真空紫外光を照射することにより窒素含有気体を分解して被膜形成基板Kの表面に吸着させると共に、被膜形成基板K表面に吸着した気体分子に真空紫外光を照射することによって表面反応を生じさせて被膜形成基板K表面の窒化を行うことにより、被膜窒化を行う。尚、被膜形成基板Kが配置されるチャンバAと、チャンバ内に窒素含有気体を供給する窒素含有気体供給装置F2と、チャンバ内に波長172nm〜126nm真空紫外光を照射する真空紫外光照射装置2であって、窒素含有気体雰囲気中に真空紫外光を照射することにより窒素含有気体を分解して被膜形成基板Kの表面に吸着させると共に、被膜形成基板K表面に吸着した気体分子に真空紫外光を照射することによって表面反応を生じさせて被膜形成基板K表面を窒化する真空紫外光照射装置2と、を備えた窒化処理装置Uを製作する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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