| 出願番号 |
特願2003-077286 |
| 出願日 |
2003/3/20 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2007-173257 |
| 公開日 |
2007/7/5 |
| 登録番号 |
特許第4139891号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
ＲＦモジュールの作製方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
キャパシター、レジスター、インダクター、高周波用ＬＴＣＣ材料 |
| 目的 |
受動部品であるキャパシター、レジスター、インダクターを一つのモジュール内に集積化したＲＦモジュールとその作製方法の提供。 |
| 効果 |
３００℃以下の低温で１〜５０〔μｍ〕の厚さに絶縁膜を形成するものとしたので、そのベースには金属を用いることができ、機械加工で安価に寸法精度が出せる金属材料基板によってＲＦモジュールを構成できる。また、高温焼成などを行わないので、材料収縮がなく、高い寸法精度を実現できるし、能動デバイスを二次元回路に実装できるという利点もある。 |
技術概要
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この技術では、厚い金属ベース上にエアロゾルデポジション法でセラミックス材料の絶縁膜を形成して、その上にパターン配線や既存のチップ部品を実装して二次元回路とした第１二次元回路を作製し、この第１二次元回路上に、薄い金属ベース上に絶縁膜を形成した上にパターン配線や既存のチップ部品を実装して二次元回路とした第２二次元回路と、薄い金属ベース上に絶縁膜を形成した上にパターン配線やモジュール内に実装できない比較的大きな既存のチップ部品を実装した第３二次元回路を積層して、集積化ＲＦモジュールとする。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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