RFモジュールおよびその作製方法

開放特許情報番号
L2007003977
開放特許情報登録日
2007/8/24
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2003-077286
出願日 2003/3/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-173257
公開日 2007/7/5
登録番号 特許第4139891号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 RFモジュールの作製方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 キャパシター、レジスター、インダクター、高周波用LTCC材料
目的 受動部品であるキャパシター、レジスター、インダクターを一つのモジュール内に集積化したRFモジュールとその作製方法の提供。
効果 300℃以下の低温で1〜50〔μm〕の厚さに絶縁膜を形成するものとしたので、そのベースには金属を用いることができ、機械加工で安価に寸法精度が出せる金属材料基板によってRFモジュールを構成できる。また、高温焼成などを行わないので、材料収縮がなく、高い寸法精度を実現できるし、能動デバイスを二次元回路に実装できるという利点もある。
技術概要
この技術では、厚い金属ベース上にエアロゾルデポジション法でセラミックス材料の絶縁膜を形成して、その上にパターン配線や既存のチップ部品を実装して二次元回路とした第1二次元回路を作製し、この第1二次元回路上に、薄い金属ベース上に絶縁膜を形成した上にパターン配線や既存のチップ部品を実装して二次元回路とした第2二次元回路と、薄い金属ベース上に絶縁膜を形成した上にパターン配線やモジュール内に実装できない比較的大きな既存のチップ部品を実装した第3二次元回路を積層して、集積化RFモジュールとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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