酸化亜鉛系薄膜の成長方法

開放特許情報番号
L2007003889
開放特許情報登録日
2007/8/17
最新更新日
2007/8/17

基本情報

出願番号 特願2002-198875
出願日 2002/7/8
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2004-040054
公開日 2004/2/5
登録番号 特許第3605643号
特許権者 国立大学法人島根大学
発明の名称 酸化亜鉛系薄膜の成長方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 発光素子等として有用な酸化亜鉛系薄膜の形成に適用する。
目的 特定の原料組成ガスを特定の温度で反応させて有機金属気相成長法により単結晶基板上に酸化亜鉛系薄膜を形成する方法を提供する。
効果 表面平坦性に優れると共に、酸素欠陥の少ない高品質で高純度な酸化亜鉛系薄膜を低温で形成できる。
技術概要
有機金属気相成長装置内に、(A)ジメチル亜鉛(またはジイソプロピル亜鉛)からなる亜鉛原料と、(B)イソプロピルアルコール、エタノールの1種からなる酸素原料と、(C)キャリアガスとして水素ガス(または水素ガスと窒素ガス)とを供給し、300℃以上400℃未満の温度で反応させて、単結晶基板上に酸化亜鉛系薄膜をエピタキシャル成長させる酸化亜鉛系薄膜の成長方法にする。好ましくは亜鉛原料AにMg、Cdを含有せしめ、また、酸素原料Bの供給量(VT)と亜鉛原料Aの供給量(TT)との比(VT/TT)を20以上とし、例えば、サセプタ12上に酸化亜鉛、シリコン、サファイア等からなる単結晶基板13が設置されたリアクター10へ、原料ガスをキャリアライン14を介して供給する装置(図−1)を用いてZnOからなる酸化亜鉛系薄膜を成長させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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