微細素子の形成方法及びその装置

開放特許情報番号
L2007003883
開放特許情報登録日
2007/8/17
最新更新日
2007/8/17

基本情報

出願番号 特願平10-227926
出願日 1998/8/12
出願人 島根大学長
公開番号 特開2000-058453
公開日 2000/2/25
登録番号 特許第3018172号
特許権者 島根大学長
発明の名称 微細素子の形成方法及びその装置
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 特に磁性金属からなる微細素子の形成に適用する。
目的 特定のマスクを基板との間に介在せしめ、このマスクを介して基板上に素子構成物質を堆積させることにより、基板上に直接微細素子を形成する方法を提供する。
効果 廉価かつ容易に素子の形成が可能になると共に、堆積時間及び堆積速度を調節することにより、素子の厚さを任意に調節することができる等の効果を奏する。
技術概要
(A)複数の電子顕微鏡用のグリッドメッシュをそれぞれの穴の端部が重なるように組合せて、所定のピンホール3を有するピンホールマスク2を作製し、(B)このピンホールマスク2を、真空シャンバ9内において、例えばシリコン等からなる基板1に対向させて配置すると共に、(C)このピンホールマスク2を介して、例えば蒸着源8から、素子を構成する物質、例えばコバルト、ニッケル、鉄等を基板1上に堆積させることにより、基板1に微細素子を形成する(図−1)微細素子の形成方法にする。ピンホール3は、直径1nm〜10μmの円形状、または1nm〜10μmの矩形状であるのが好ましい。これにより、直径10nm〜2μm、または、10nm〜2μm角の大きさを有する微細素子が得られ、特に薄膜ヘッド等の厚さを必要とするデバイスにも容易に適用することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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