ZnOウィスカー膜及びその作製方法

開放特許情報番号
L2007003821
開放特許情報登録日
2007/8/10
最新更新日
2009/2/6

基本情報

出願番号 特願2007-146232
出願日 2007/5/31
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-297168
公開日 2008/12/11
発明の名称 ZnOウィスカー膜及びその作製方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ZnOウィスカー膜
目的 溶液プロセスにより作製した高比表面積及び高導電率を両立させたナノ構造体からなるZnOウィスカー膜及びその作製方法を提供する。
効果 液相プロセスにおけるZnOシード層の形成と、ZnO結晶の異方成長を利用して、ZnOウィスカー膜を反応溶液中において合成することができる。気相プロセスを用いていないため、簡便な装置で、低コストにて、平板及び複雑形状の固体表面にZnOウィスカー膜を作製することができる。水熱処理や高温・長時間のZnO結晶化の処理を経ることなく、ZnOウィスカー膜を得ることができる。
技術概要
基板上に形成されたZnOウィスカー膜であって、ZnO結晶を主成分(モル比50%以上)としており、アスペクト比が2以上のウィスカー形状粒子集積膜であり、高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体であり、基板上に形成したZnOウィスカー膜である。ウィスカー形状粒子が、ひげ状粒子、針状粒子、棒状粒子、又はロッド状粒子である。基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス又はポリマー基板である。ZnOウィスカー膜、酸化亜鉛が析出する反応溶液系で、原料濃度、温度及び/又はpHを調整してZnO結晶を析出させ、基板上にZnOウィスカー膜を形成させることからなるZnOウィスカー膜の製造方法及びその電子デバイス材料である。反応溶液系に、ヘキサメチレンテトラアミン、エチレンジアミン若しくはアンモニア、及び/又はポリエチレンイミン、アミノ基を有するポリマー若しくはアミノ基を有するモノマーを配合する。図にZnOウィスカーの高分解能TEM像及び電子線回折像を示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 このウィスカー膜は、高い比表面積及び高い導電率と、ウィスカー間の空間制御性を両立させることのできるナノ構造体であり、例えば、分子センサー、ガスセンサー、溶液センサー、色素増感型太陽電池の電子デバイスにおいて、高い特性を発現できるものとして有用である。また、蛍光デバイス、圧電デバイス、熱ルミネセンスデバイス、高熱伝導利用デバイス(ヒートシンク等)、熱電材料等としても有用である。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT