電界効果トランジスタ及びこれを含む集積回路

開放特許情報番号
L2007003817
開放特許情報登録日
2007/8/10
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2007-142045
出願日 2007/5/29
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-300417
公開日 2008/12/11
登録番号 特許第4415112号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 電界効果トランジスタ及びこれを含む集積回路
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電界効果トランジスタ及びこれを含む集積回路
目的 ゲート電極からの漏れ電流を抑制するとともに、電流駆動力が大きく、かつソース・ドレイン間の漏れ電流の少ない可動ゲート電極を有する電界効果トランジスタを提供する。
効果 ゲート電極からの漏れ電流を抑制するとともに、電流駆動力が大きく、かつソース・ドレイン間の漏れ電流の少ない可動ゲート電極を有する電界効果トランジスタが得られる。
技術概要
絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成され表面にゲート絶縁膜を有し横方向チャネルを構成する三角断面形状の半導体層と、半導体層の両側に隣接し半導体層と平行に配置され表面に絶縁膜を有する固定電極と、半導体層の端部に形成されたソース・ドレインと、半導体層及び固定電極の上方に間隙を置いて形成された可動ゲート電極とを備えた電界効果トランジスタである。ゲート電極がゲート絶縁膜に密着した時に、ソース・ドレイン間に電流が流れる状態で、ゲート電極がゲート絶縁膜から離れた時に、ソース・ドレイン間に電流が流れない状態である。固定電極と可動ゲート電極間の電圧印加の有無によって、可動ゲート電極と固定電極間に生じる静電引力を利用して、可動ゲート電極をゲート絶縁膜に密着させ、また可動ゲート電極のバネ効果による復元力を利用して、可動ゲート電極をゲート絶縁膜から離す。図1は、SOI基板上に形成する可動ゲート電界効果トランジスタの平面図であり、図2はA−A’断面図であり、図3はB−B’断面図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 固定電極を設けることにより、可動ゲート電極に電圧を印加した場合に、その可動ゲート電極と固定電極間に生じる静電引力で、可動ゲートが確実にゲート絶縁膜、或いは薄膜固定ゲート電極に密着され、ソース・ドレイン間に電流を流すことができる。
改善効果2 可動ゲート電極に電圧を印加していない場合には、可動ゲート電極のバネ効果による復元力で、可動ゲートがゲート絶縁膜、或いは薄膜固定ゲート電極から離れ、可動ゲート電極とゲート絶縁膜、或いは薄膜固定ゲート電極の間に隙間を形成するので、待機時のゲート漏れ電流をゼロにすることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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