半導体素子

開放特許情報番号
L2007003809
開放特許情報登録日
2007/8/10
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2007-136859
出願日 2007/5/23
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-294144
公開日 2008/12/4
登録番号 特許第5207511号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体素子
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体素子
目的 ZnO系の光半導体素子における発光効率を増大させる。
効果 Zn↓1↓−↓xMg↓xOの、x値を大きくすることで、Zn↓1↓−↓xMg↓xOを発光体として用いた光半導体素子における発光効率を増大させることができる。従って、Zn↓1↓−↓xMg↓xOを発光素子の活性層として用いることにより、素子の高性能化が可能となる。
技術概要
単結晶Zn↓1↓−↓xMg↓xO(x>0)を活性層として用いた発光素子である。活性層に対するバリア層として、Zn↓1↓−↓yMg↓yO(y>x)又はZn↓1↓−↓yMg↓yO(y>x)及びZn↓1↓−↓zMg↓zO(z>x、yとzとは異なる)を用いる。活性層に対するバリア層として、ZnS又はBeOを用いる。光半導体素子Bは、n型Zn↓1↓−↓zMg↓zO(バリア層)11/Zn↓1↓−↓xMg↓xO(活性層)15/p型Zn↓1↓−↓yMg↓yO(バリア層)17からなり、活性層15から発光する構造である。それぞれのバリア層11・17に対して電極23・21を形成し、両電極23・21間に電圧を印加することにより、ZnO(活性層)15からの発光が得られる。尚、x<yかつx<zの関係があり、例えば、x=0.1、y=0.15、z=0.16などの値を例として選択することができる。x=0.15、y=0.25、z=0.24などの値も選択可能である。この際、活性層のx値を大きくすることにより、発光波長を短波長側にシフトさせることができる。さらに、x値を大きくすると、発光効率を高くできるため、発光素子として優れている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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