| 出願番号 |
特願2009-516276 |
| 出願日 |
2008/5/22 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2008/146693 |
| 公開日 |
2008/12/4 |
| 登録番号 |
特許第5229919号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
酸化物透明導電膜を用いた光電変換素子及び光検出素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
酸化物透明導電膜、光電変換素子、光検出素子 |
| 目的 |
２００℃以下の低温プロセスを用いて、ある特定の範囲のキャリア濃度を有する薄膜に対し、ドーパントである不純物以外による散乱を抑制し、波長４００ｎｍ〜１６００ｎｍの可視及び近赤外域での透過性に優れた酸化物透明導電膜の提供。 |
| 効果 |
ドーパントとして水素原子を用いた非晶質あるいは結晶質酸化物導電膜は、従来材料である錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）薄膜に比べ可視領域および近赤外領域において透明性に優れている。また、その薄膜は室温あるいは２００℃以下の低温プロセスにて製造することが出来る。 |
技術概要
 |
この技術では、酸化物透明導電膜は水素原子を含有し、水素原子含有量を１％以上１０％以下とする。水素原子を含有する非晶質酸化物導電膜は、ホール効果測定による電子の移動度を４０ｃｍ↑２／Ｖｓ以上とし、キャリア濃度を５ｘ１０↑（２０）ｃｍ↑（−３）以下とし、比抵抗を１ｘ１０↑（−３）Ωｃｍ以下とする。また、水素原子を含有する非晶質酸化物導電膜は、波長４００ｎｍ〜１２００ｎｍの屈折率を１．５以上とし、比抵抗を５ｘ１０↑（−４）Ωｃｍ以下とする。水素原子を含有する非晶質酸化物透明導電膜は、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化錫、酸化ゲルマニウム、二酸化チタン膜のいずれか１つ、またはこれらのうち二つ以上の化合物を含む薄膜とする。水素原子を含有する結晶質酸化物導電膜は、結晶の配向の無配向とする。水素原子を含有する結晶質酸化物導電膜は、格子定数を無歪のバルクの格子定数に対し０．３％以下とする。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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