ダイヤモンド半導体素子におけるショットキー電極及びその製造方法

開放特許情報番号
L2007003737
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2009-512914
出願日 2008/4/14
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2008/136259
公開日 2008/11/13
登録番号 特許第5344484号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ダイヤモンド半導体素子におけるショットキー電極及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 パワーエレクトロニクス、ショットキー電極、ダイヤモンド半導体素子
目的 ダイオード作成のプロセスにおいて、歩留まりを悪くしない、電流電圧特性の劣化を起こしにくいダイヤモンド半導体におけるショットキー電極及びその製造方法の提供。
効果 ダイヤモンド半導体素子におけるショットキー電極において、ショットキーバリア高さの合金に閉める各々金属の割合による制御ができる。すなわち混合比によってPtとRu及び又はIrの場合では混合比によって1.6〜2.5eVの制御をすることができる。
技術概要
この技術では、ショットキー電極は、基板上のダイヤモンド表面に形成した島状に点在するパターンPt系合金薄膜があり、Pt系合金Pt50〜99.9とRu及びまたはIr0.1〜50質量%含んだPt系合金とする。また、Pt系合金をPtとRuからなる合金とすることができる。さらに、Pt系合金をPtとIrからなる合金とすることができる。また、Pt系合金をPt系合金をPt及びIrからなる合金とすることができる。また、ダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンドとすることが望ましい。また、ショットキー電極は、基板上のダイヤモンド表面に形成した島状に点在するパターンPt又はPdから選ばれる金属薄膜があり、各Pt又はPdから選ばれる金属薄膜のすべてに、Pt又はPdから選ばれる金属薄膜上にRu,Ir,Rhから選ばれる金属薄膜が設けられた島状に点在するパターン電極からなるものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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