| 出願番号 |
特願2009-512914 |
| 出願日 |
2008/4/14 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2008/136259 |
| 公開日 |
2008/11/13 |
| 登録番号 |
特許第5344484号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
ダイヤモンド半導体素子におけるショットキー電極及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
パワーエレクトロニクス、ショットキー電極、ダイヤモンド半導体素子 |
| 目的 |
ダイオード作成のプロセスにおいて、歩留まりを悪くしない、電流電圧特性の劣化を起こしにくいダイヤモンド半導体におけるショットキー電極及びその製造方法の提供。 |
| 効果 |
ダイヤモンド半導体素子におけるショットキー電極において、ショットキーバリア高さの合金に閉める各々金属の割合による制御ができる。すなわち混合比によってＰｔとＲｕ及び又はＩｒの場合では混合比によって１．６〜２．５ｅＶの制御をすることができる。 |
技術概要
 |
この技術では、ショットキー電極は、基板上のダイヤモンド表面に形成した島状に点在するパターンＰｔ系合金薄膜があり、Ｐｔ系合金Ｐｔ５０〜９９．９とＲｕ及びまたはＩｒ０．１〜５０質量％含んだＰｔ系合金とする。また、Ｐｔ系合金をＰｔとＲｕからなる合金とすることができる。さらに、Ｐｔ系合金をＰｔとＩｒからなる合金とすることができる。また、Ｐｔ系合金をＰｔ系合金をＰｔ及びＩｒからなる合金とすることができる。また、ダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンドとすることが望ましい。また、ショットキー電極は、基板上のダイヤモンド表面に形成した島状に点在するパターンＰｔ又はＰｄから選ばれる金属薄膜があり、各Ｐｔ又はＰｄから選ばれる金属薄膜のすべてに、Ｐｔ又はＰｄから選ばれる金属薄膜上にＲｕ，Ｉｒ，Ｒｈから選ばれる金属薄膜が設けられた島状に点在するパターン電極からなるものとする。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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