高効率間接遷移型半導体紫外線発光素子

開放特許情報番号
L2007003731
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2007-114981
出願日 2007/4/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-078611
公開日 2008/4/3
登録番号 特許第5273635号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高効率間接遷移型半導体紫外線発光素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 間接遷移型半導体発光素子、半導体紫外光源、白色照明、殺菌、浄水、高密度光記録用光源、蛍光分析、医療分野
目的 間接遷移型半導体でありながらが、直接遷移型半導体と同程度の高い内部量子効率を持つ、紫外線発光素子の提供。
効果 間接遷移型半導体結晶内に高密度に生成した励起子の再結合を利用することにより、間接遷移型半導体でありながら、直接遷移型半導体と同程度の高い内部量子効率を有する発光素子を実現することが可能となる。
技術概要
この技術では、発光素子は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成する間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層あるいはpn接合による活性領域を形成し、活性層あるいは活性領域に電流注入する電極を有する内部量子効率が10%以上であることを特徴とする。また、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料がダイヤモンドであり、基板上にp型半導体層と、p型半導体層に接して形成されたn型半導体層とを備え、p型半導体層とn型半導体層との界面を活性領域とし、p型半導体層とn型半導体層のうちのいずれか一つ、あるいは両方が間接遷移型半導体で構成してなり、p型半導体層とn型半導体層のそれぞれに接して、あるいは低抵抗層を介して形成した電極から構成してなることを特徴とする。さらに、発光素子は、p型半導体層と、前記p型半導体層に接して形成した間接遷移型半導体で構成した活性層と、活性層に接して形成したn型半導体層とを備え、p型半導体層とn型半導体層のそれぞれに接して、あるいは低抵抗層を介して形成した電極から構成することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT