窒化物半導体デバイス及びその作製方法

開放特許情報番号
L2007003705
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2007-105917
出願日 2007/4/13
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-072083
公開日 2008/3/27
登録番号 特許第5158470号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 窒化物半導体デバイスの作製方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 窒化物半導体デバイス、窒化物半導体材料、ヘテロ接合構造
目的 ヘテロ接合構造に形成されたキャリアが走行するチャンネルへ、再現性よく、低接触抵抗で、電極を形成することの実現。
効果 ヘテロ接合構造に形成されたチャンネルを用いた窒化物半導体デバイスにおいて、電極の接触抵抗を低減し、低損失動作をさせることができる。
技術概要
この技術では、窒化物半導体デバイスは、キャリアが走行するチャンネルが形成される第1の窒化物半導体及び第1の窒化物半導体とヘテロ接合を構成する第2の窒化物半導体とを備えた窒化物半導体デバイスであって、半導体表面からチャンネルまで到達する複数の穴を有し、その穴の側面でチャンネルに接触する電極構造を含むものとする。また、第2の窒化物半導体に設けた凹部の底面からチャンネルまで到達する複数の穴を有し、その穴の側面でチャンネルに接触する電極構造を含むものとする。このような窒化物半導体デバイスの作製方法は、電子ビーム蒸着法により粒子状の金属を半導体表面からチャンネルに至るまで導入し、チャンネルに接触する電極構造を形成する工程を含む。また、電子ビーム蒸着法により粒子状の金属を第2の窒化物半導体に設けた凹部の底面から上記チャンネルに至るまで導入し、チャンネルに接触する電極構造を形成する工程を含む。チャンネルまで到達する複数の穴が電極端から電極に向かって等距離に、かつチャンネルと直交する方向にアレー状に位置するように配置することが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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