薄膜製造方法

開放特許情報番号
L2007003681
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2007-096976
出願日 2007/4/3
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-254948
公開日 2008/10/23
登録番号 特許第5007973号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 薄膜製造方法
技術分野 金属材料、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 圧電体、超音波計測、携帯電話、移動体通信機器
目的 従来の方法において作製されたc軸面内配向ウルツ鉱薄膜では、c軸は基本的には面内の一方向に配向しているが、厳密にはその配向の方向にわずかなばらつきが見られ、この配向の精度を高めることにより、SAWデバイス等の特性を向上させることができると期待されることに鑑み、高い精度でc軸が薄膜の面内の一方向に配向したウルツ鉱薄膜を製造する方法の提供。
効果 ウルツ鉱構造を有する材料が基板表面に堆積する際に、基板表面に対して平行に近い10°以下の角度でイオンビームが入射することにより、基板表面へのイオンビームの正射影に沿ってc軸が配向した薄膜が形成される。これにより、c軸が薄膜の面内の一方向に高配向したウルツ鉱薄膜を製造することができる。イオンビームの方向は従来の方法における温度勾配の方向あるいは原料流及び原料流の密度勾配の方向よりも精密に制御することができる。
技術概要
この技術は、ウルツ鉱型の結晶構造を有しc軸が面内の一方向に配向した薄膜を製造する方法において、薄膜を基板表面に堆積させる際、イオンビームを、少なくともイオンビームの一部が該表面に対して10°以下の角度で表面に入射するように照射する。これにより、基板表面に対して10°以内の角度で入射されるイオンビームが、薄膜を構成する結晶のc軸を面内の一方向に配向させる作用を持つ。ここで、このように入射されるイオンビームは、薄膜の原料の一部又は全部を含むものであってもよいし、それらとは無関係のものであってもよい。イオンビームが薄膜原料の一部又は全部を含む場合には、そのイオンビームが薄膜の堆積にも用いられる。薄膜原料には、従来より知られている、ウルツ鉱型の結晶構造を有する薄膜の製造に用いられる原料をそのまま使用できる。イオンビームのうち基板表面に入射しない一部のイオンビームを薄膜の原料から成るターゲットに入射させることによりターゲットをスパッタし、スパッタされた薄膜原料を基板表面に堆積させるとよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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