透明電極及びその製造方法

開放特許情報番号
L2007003666
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2007-086415
出願日 2007/3/29
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-243759
公開日 2008/10/9
登録番号 特許第4984134号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 透明電極及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 透明電極
目的 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧や消費電力などを低減せしめるための透明電極及び素子部材を提供する。
効果 表面の仕事関数の値が大きく、可視光透過率が高く、電気抵抗率が低い透明電極を製造し、提供できる。透明電極を有機EL素子、無機EL素子の陽極に用いることにより、低電圧で発光可能で且つ発光効率を高くせしめることができる。透明電極を有機EL素子、無機EL素子の陽極に用いることにより、有機EL素子、無機EL素子を用いた物品の耐久性を著しく向上できる。
技術概要
表面の仕事関数の値を向上させた透明導電性酸化物薄膜を有する透明電極は、透明基板と、透明基板上に設けられた透明導電膜から成り、透明導電膜の表面に、酸化錫を主成分とし、且つチタン元素、バナジウム元素、モリブデン元素のうち1種もしくは2種以上を仕事関数変調のための不純物として含む層を有する。透明導電膜の表面に、フッ素元素もしくはアンチモン元素を導電性制御のための不純物として含む層を有する。透明導電膜の表面の仕事関数は、少なくても5.2エレクトロンボルトである。透明導電膜の表面に、酸化錫を主成分とし、且つTi、V、Moを仕事関数変調のための不純物として含む層を有し、且つ不純物の組成が、M/(M+Sn)=0.005〜0.03(Mは不純物元素)である。透明導電膜は、2層以上の多層の薄膜の積層構造からなり、少なくとも最上層を含まない薄膜は、インジウム錫酸化物、亜鉛酸化物、チタン酸化物のうちいずれかを主成分とする。透明導電膜は、2層以上の多層の薄膜の積層構造からなり、最上層の膜厚が5〜40nmであり、且つ最上層を含まない層の膜厚が50〜700nmである。電子デバイス素子部材は、有機エレクトロルミネッセンス素子等である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT