光双安定素子

開放特許情報番号
L2007003639
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2007-074856
出願日 2007/3/22
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-233644
公開日 2008/10/2
登録番号 特許第4998990号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光双安定素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光通信、全光論理スイッチ、光フリップ・フロップ、光バッファメモリ、全光ルータ等において用いることのできる光双安定素子
目的 帰還作用の強い導波路構造を用いて、導波路長を短くし、集積化させて素子を小型化させた、光双安定素子を提供する。
効果 帰還作用が強いため、双安定動作を担う導波路の長さを、メサ型導波路を基にした通常の1/100以下に小型化させる事ができる。
技術概要
半導体薄板に、空気穴の周期配列を設けた半導体2次元フォトニック結晶薄板上に線欠陥導波路を設け、光の薄板面内での伝播を制御させる。周期配列を三角格子とし、入射させる光の偏波を薄板面に平行として、空気穴の周期格子から、穴を一列無くして線欠陥の光導波路の構造とさせる。この線欠陥導波路は、所定の透過帯域を持ち、その低周波数側に隣接して、透過率が小さい周波数域のモードギャップを有し、入力光周波数を、このモードギャップの周波数域におさまるようにさせる。この周波数域では、入射波である前進波が、効率的に後進波に変換される結果、1に近い反射率、ゼロに近い透過率を与える事が出来る。導波路の屈折率は、光の強度に依存し、入力光の強度を上げてゆき、ある強度で、後進波への変換効率を不連続に減少させ、反射率をゼロに近く、透過率を1に近い状態にさせる事が出来る。帰還作用の強い導波路構造を用いて、導波路長を短くし、集積化をねらって素子の小型化を進める事が出来る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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