有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2007003636
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2008/11/14

基本情報

出願番号 特願2007-073146
出願日 2007/3/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-235581
公開日 2008/10/2
発明の名称 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
技術分野 無機材料、有機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、フレキシブルディスプレイ、電子荷札、電子ポスター、電子ペーパー等の分野で広く利用される。
目的 半導体活性層に有機材料を用いる薄膜トランジスタにおいて、その耐久性を向上させるための薄膜トランジスタ保護膜及びその製造方法を提供する。
効果 酸素等に対するガスバリア性及び耐透湿性に優れているため、素子の耐久性が向上し、また、フィルム素子化、大面積素子化、フレキシブル素子化が可能である。
技術概要
基板10、ゲート電極20、絶縁層、ソース電極40、ドレイン電極、半導体層50及び保護層60により構成される薄膜トランジスタであって、半導体層は、有機材料により構成され、保護層が、少なくとも1層のスメクタイト族珪酸塩化合物を含有する薄膜により形成される。尚、スメクタイト族珪酸塩化合物は、式:A↓1↓/↓2B↓mSi↓4O↓1↓0(OH)↓2・nH↓2O[Aは、ナトリウム、カルシウム又はリチウム;Bは、アルミニウム、マグネシウム、リチウム、鉄、亜鉛、銅、ニッケル若しくはクロムから選択される金属又はこれらの内の2種の混合金属;mは2又は3;nは、任意の正の有理数]で表される材料で構成されている。また、スメクタイト族珪酸塩化合物は、薄膜を形成する薄膜中において、層状構造を形成している。更に、保護層を形成する薄膜は、液相プロセスにより塗設されることにより、有機薄膜トランジスタを製造する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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