FeSi2ドットアレイ構造体及びその作製方法

開放特許情報番号
L2007003628
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2007-068442
出願日 2007/3/16
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-290953
公開日 2007/11/8
登録番号 特許第5142248号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 FeSi2ドットアレイ構造体の作製方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 光電変換素子、電子デバイス、環境低負荷型の新しい近赤外発光・受光材料
目的 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なFeSi↓2ドットアレイ構造体とその効率的な作製方法の提供。
効果 本技術のFeSi↓2ドットアレイ構造体は、ドットが均質であり、そのサイズが均一でその位置が正確に制御されたものであり、光電変換素子等のデバイス化に要求される均一な光電変換特性等を満たすことから、フレキシブル近赤外発光デバイスやフレキシブル太陽電池などとして有用なものである。
技術概要
 
この技術では、FeとSiの粉末を1:2に混合・溶融して合成したFeSi↓2合金粉末を通常のホットプレス法で成形したFeSi↓2焼結体ターゲットのスパッタリングにより、石英ガラス透明基板上に、基板加熱することなく、アモルファスFeSi↓2薄膜(厚さ500nm)を作製する。次に、得られたFeSi↓2薄膜をシリコンウエハとコンタクトさせ、KrFエキシマレーザー光の結像位置に、石英ガラスとFeSi↓2薄膜の界面が一致するように設置する。そして、石英ガラス側からKrFエキシマレーザーパルスを1パルスのみ入射させ、FeSi↓2のシリコンウエハへのレーザー転写を行った。さらに、ドットの結晶構造を調べるため顕微ラマン分光測定を行った。その結果、FeSi↓2結晶ドットアレイ構造体はβ−FeSi↓2による188ならびに242cm↑(−1)に中心を有するピークが観測され、これらのドットがβ−FeSi↓2結晶を含有することがわかった。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT