微細同軸ワイヤー、その製造方法、及び半導体装置

開放特許情報番号
L2007003616
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2008/11/7

基本情報

出願番号 特願2007-063103
出願日 2007/3/13
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-227126
公開日 2008/9/25
発明の名称 微細同軸ワイヤー、その製造方法、及び半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 半導体チップ、配線板、微細同軸ワイヤー
目的 特に微細な半導体装置の電極間の導通配線として、有効にノイズを低減することができると共に、高い特性インピーダンスを備える微細同軸ワイヤー、その製造方法、及びこの微細同軸ワイヤーを用いた半導体装置の提供。
効果 本技術の微細同軸ワイヤーを、微細な半導体装置の電極間の導通配線として用いることにより、有効にノイズを低減することができると共に、高い特性インピーダンスを備える微細同軸ワイヤーを用いれば、高い信号周波数(例えば数十〜数百GHz)における高速信号伝送も可能となる。
技術概要
本技術の微細同軸ワイヤーは、金属導体からなる導電ワイヤー、導電ワイヤーの周面を被覆する絶縁層、及び絶縁層の外周面を被覆する金属導体層からなる。微細同軸ワイヤーは、その中心軸部の金属導体からなる導電ワイヤーの周面を被覆して絶縁層が設けられ、更に、この絶縁層の外周面を被覆して金属導体層が設けられた構造となっている。ここで、絶縁層の厚さは、絶縁がとれればよいので1μm以上あればよいが、半導体装置において、高速信号伝送を実現するためには、特性インピーダンスを制御する必要があるために、一定の厚さにすることが重要である。また、インピーダンスを高くするためには、比較的厚い絶縁層が必要である。そのため、本技術の微細同軸ワイヤーにおいては、絶縁層は、電着法により成膜された電着有機薄膜で形成されている。絶縁層の厚さは、特に限定されないが、通常1〜100μmであることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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