光情報入出力記録素子

開放特許情報番号
L2007003595
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2007-055631
出願日 2007/3/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-218795
公開日 2008/9/18
登録番号 特許第5046095号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光情報入出力記録素子の消去方法及び画像情報入力システム
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 誘電体層に光導電性を有する有機材料を用いたメモリ性を示す素子
目的 成形・加工性に優れた光情報入出力記録素子、とくに誘電体層に光スイッチ機能として利用できる光導電性を示す有機材料を用い、メモリ性を発現させる電極界面障壁を形成させた光情報入出力記録素子の提供。
効果 本技術によれば、有機材料の固体薄膜および金属電極により構成されているため、製造しやすいとともに、フィルム素子化、大面積素子化、フレキシブル素子化が可能であり、耐衝撃性にも強い。
技術概要
本技術における光情報入出力記録素子において用いられる誘電体層は、少なくとも1層の光導電性を有する有機材料により構成されるが、その光導電性材料は単一化合物で構成されても構わないし、また混合化合物により構成されていても構わない。また、複数の層の積層によって構成されていても構わない。誘電体層において、光が照射された際に、光キャリアが発生されるものであるならば、特にその物質構造は限定されない。一般に好適に用いられる材料は、ポリビニルカルバゾールなどの光導電性高分子化合物である。又、誘電体層を構成する材料には、照射された光に対してより高感度で応答するように、情報を記録する光の波長に対して高い感受性を有する光増感材料を添加することが施されるが、その際材料は特に限定されない。一般に好適に用いられるのは、トリニトロフルオレノンやフラーレンなどである。また、その光導電性物質中に添加する濃度も特に限定されず、用いられる光導電材料と光増感材料とによって最適な性能が出せる濃度に適宜調整される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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